氮离子注入 TiO2 的结构缺陷与电子结构：块体对比薄膜
材料科学
2015-08-12 v1 化学物理
摘要
通过 XPS 测量（核心能级与价带）和第一性原理密度泛函理论（DFT）计算，对氮离子注入 TiO2（薄膜与块体陶瓷）的原子结构进行了系统研究。在块体样品中，实验与理论均表明阴离子 N->O 替代。对于薄膜情况，实验证据显示了来自 N2 和 NO 类分子结构的重要贡献，且理论建模揭示了这些物种的形成可能是由于 TiO2 各表面出现间隙氮缺陷所致。形成氧空位的能量学及其对带隙缩减的关键作用亦被讨论。
引用
@article{arxiv.1507.07647,
title = {Structural defects and electronic structure of N-ion implanted TiO2: bulk versus thin film},
author = {D. A. Zatsepin and D. W. Boukhvalov and E. Z. Kurmaev and I. S. Zhidkov and N. V. Gavrilov and M. A. Korotin and S. S. Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.07647},
year = {2015}
}
备注
19 pages, 6 figures, 3 tables, accepted in Appl. Surf. Sci