包含二维量子限制的超薄环栅无结纳米线 FET 显式模型
应用物理
2019-06-26 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在本文中，我们开发了一个显式模型来预测超薄环栅无结纳米线 FET 的直流电气行为。所提模型考虑了载流子电荷密度在少数离散子带内的二维电学和几何限制。将泊松方程的抛物线近似、薛定谔子带能量本征值的一阶微扰理论以及受限载流子密度的费米-狄拉克统计相结合，得到了超薄无结器件直流特性的显式解。该模型的有效性已通过工艺计算机辅助设计仿真得到验证。结果证实其在所有工作区域均有效，即从深耗尽到积累、从线性到饱和。这代表了基于无结纳米线器件的电路分析的重要一步。
引用
@article{arxiv.1906.10457,
title = {An Explicit Model for Ultra-thin Gate-All-Around Junctionless Nanowire FETs, Including 2D Quantum Confinement},
author = {Danial Shafizade and Majid Shalchian and Farzan Jazaeri},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.10457},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 7 figures, Submited to IEEE Transaction on electron device