包含量子限制的超薄无结 DG FET 基于电荷的模型
应用物理
2018-10-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文提出一种基于电荷的超薄无结双栅(JLDG)场效应晶体管(FET)模型的推广,其中包含了量子电子密度。解析推导依赖于对无限深量子阱的一阶修正。当将分析限制在第一和第二量子化态时,超薄体 JLDG FET 中的自由载流子电荷分布与电流在所有工作区域(即从深耗尽到积累、从线性到饱和)均与数值 TCAD 仿真一致。
引用
@article{arxiv.1808.06685,
title = {Charge-Based Model for Ultrathin Junctionless DG FETs, Including Quantum Confinement},
author = {Majid Shalchian and Farzan Jazaeri and Jean-Michel Sallese},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.06685},
year = {2018}
}