二维场效应晶体管的标度理论
介观与纳米尺度物理
2021-05-25 v1 应用物理
摘要
我们提出二维（2D）场效应晶体管（FET）的标度理论。对于沟道厚度小于 4 nm 的器件，器件静电特性由物理栅氧化层厚度主导，而非有效氧化层厚度。具体而言，对于对称双栅（DG）FET，标度长度（{\Lambda}）随栅氧化层厚度（t_{ox}）线性变化，为 {\Lambda} ~ 3/4t_{ox}。对此类器件几何结构，栅氧化层介电常数与半导体沟道厚度不影响器件静电特性。对于如单栅（SG）FET 的非对称器件，边缘场对标度长度有二阶效应。然而，与对称 DG FET 类似，非对称 FET 中的标度长度最终也受物理栅氧化层厚度限制。我们将理论预测与单层 MoS2 DG FET 的标度结果进行比较。
引用
@article{arxiv.2105.10791,
title = {Scaling Theory of Two-Dimensional Field Effect Transistors},
author = {Saurabh V. Suryavanshi and Chris D. English and H. -S. P. Wong and Eric Pop},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.10791},
year = {2021}
}