利用带间隧穿和沟道输运的双材料栅极隧穿场效应晶体管紧凑解析模型
介观与纳米尺度物理
2014-05-27 v1
摘要
本文针对长沟道双材料栅极（DMG）绝缘体上硅（SOI）隧穿场效应晶体管（TFET），开发了一个用于表面电势和漏极电流的二维（2D）解析模型。该模型包含了漏极电压、栅极金属功函数、氧化层厚度和硅膜厚度的影响，且未假设沟道完全耗尽。所提出的模型还包括了两个栅极界面处的电荷积累效应以及隧穿体积随施加栅极电压的变化。利用二维数值模拟测试了模型的准确性。与传统 TFET 相比，该模型预测 DMGTFET 能提供更高的开态电流（ION）、更好的开态与关态电流比（ION/IOFF）以及更优的亚阈值斜率（SS）。
引用
@article{arxiv.1405.6364,
title = {Compact Analytical Model of Dual Material Gate Tunneling Field Effect Transistor using Interband Tunneling and Channel Transport},
author = {Rajat Vishnoi and M. Jagadesh Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.6364},
year = {2014}
}