新型双材料双栅（DMDG）纳米尺度SOI MOSFET——二维解析建模与模拟
介观与纳米尺度物理
2010-08-19 v1
摘要
在本文中，我们介绍了改进的非对称双栅（DG）绝缘体上硅（SOI）MOSFET所展现的独特特性。所提出的结构与非对称DG SOI MOSFET类似，不同之处在于前栅由两种材料组成。由此产生的改进结构，即双材料双栅（DMDG）SOI MOSFET，与DG SOI MOSFET相比，表现出显著减小的短沟道效应。通过开发解析模型研究了该结构中的短沟道效应。该模型包括表面电势、电场、阈值电压和漏致势垒降低的计算。还讨论了漏极电流、跨导、漏极电导和电压增益的模型。可以看出，由于表面电势分布中存在明显的阶梯，屏蔽了漏极电势，因此该结构中的短沟道效应得到了抑制。我们进一步证明，与DG结构相比，所提出的DMDG结构同时实现了跨导的增加和漏极电导的降低。将模型预测的结果与通过二维模拟获得的结果进行比较，以验证所提出的解析模型的准确性。
引用
@article{arxiv.1008.3008,
title = {A New Dual-Material Double-Gate (DMDG) Nanoscale SOI MOSFET - Two-dimensional Analytical Modeling and Simulation},
author = {G. Venkateshwar Reddy and M. Jagadesh Kumar1},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3008},
year = {2010}
}
备注
Journal Paper