基于蒙特卡罗仿真比较多栅极MOSFET结构
其他凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
使用器件蒙特卡罗仿真比较了栅长为25 nm的多栅极SOI MOSFET。在此结构中，短通道效应可通过放松主体和氧化物厚度要求来控制。我们的结果表明，与三栅极或四栅极结构相比，平面双栅极MOSFET是获得单位宽度高电流驱动和弱亚阈值泄漏、大集成密度和激进延迟时间的优选方案。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505168,
title = {Comparison of multiple-gate MOSFET architectures using Monte Carlo simulation},
author = {J. Saint-Martin and A. Bournel and P. Dollfus},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505168},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 10 figures, ULIS 2005 Proceedings