纳米MOSFET中表观迁移率降低的蒙特卡洛研究
其他凝聚态物理
2007-10-31 v2
摘要
我们通过粒子蒙特卡洛器件模拟讨论了无应变和应变纳米尺度DG MOSFET中迁移率的概念。在没有引入短沟道器件特定散射现象的情况下，从模拟电学特性中提取的表观迁移率随着沟道长度的缩短而降低，正如其他地方实验观察到的那样。我们表明，室温下的这种降低是由非稳态效应引起的。此外，模拟结果和实验数据都可以通过一个类似Mathiessen的模型很好地再现，该模型使用从MC模拟中提取的“弹道迁移率”以及通常的长沟道迁移率。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0701159,
title = {Monte Carlo study of apparent mobility reduction in nano-MOSFETs},
author = {K. Huet and J. Saint-Martin and A. Bournel and S. Galdin-Retailleau and P. Dollfus and G. Ghibaudo and M. Mouis},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701159},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures, ESSDERC 2007, Munich, Germany