Scifaro

中文

纳米尺度双栅绝缘体上硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管中由感应背栅阶跃电势引起的短沟道效应减弱

介观与纳米尺度物理 2010-08-19 v1

作者: M. Jagadesh Kumar , G. V. Reddy

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗

摘要

本文讨论了在亚100纳米沟道范围内，如何通过在非对称双栅(DG)绝缘体上硅(SOI)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的背栅处感应一个阶跃表面电势分布来改善短沟道行为，其中前栅由两种具有不同功函数的材料构成。

关键词

短沟道效应双栅MOSFET 绝缘体上硅阶跃电势背栅工程功函数工程

引用

@article{arxiv.1008.3016,
  title  = {Diminished Short Channel Effects in Nanoscale Double-Gate Silicon-On-Insulator Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect-Transistors due to Induced Back-Gate Step Potential},
  author = {M. Jagadesh Kumar and G. V. Reddy},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3016},
  year   = {2010}
}

备注

Journal Paper