具有极低开关电压和大开/关电导比的双栅自旋场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们提出并分析了一种新型双栅自旋场效应晶体管（SpinFET），其源极和漏极接触为半金属铁磁体。该晶体管具有两个可独立偏置的栅极焊盘。它可以通过两个焊盘之间几 mV 的差分偏置变化进行开启或关闭，从而在开关过程中产生极低的动态功耗。开/关电导比在高达 10 K 的温度下仍保持相当大（~60）。该器件还具有优异的反相器特性，使其在低功耗和高密度布尔逻辑电路应用中具有吸引力。
引用
@article{arxiv.0711.1482,
title = {A Dual Gate Spin Field Effect Transistor With Very Low Switching Voltage and Large ON-to-OFF Conductance Ratio},
author = {J. Wan and M. Cahay and S. Bandyopadhyay},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.1482},
year = {2009}
}