对“基于自旋的绝缘栅场效应晶体管的性能”一文的评论 [cond-mat/0603260]
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
在最近的一篇预印本 [cond-mat/0603260] 中，Hall和Flatte声称，他们所分析的一种特定的基于自旋的场效应晶体管（SPINFET）将比类似的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）具有更低的阈值电压、更低的开关能量和更低的漏电流。在此，我们表明HF的所有三项主张都是无效的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0604532,
title = {Comment on "Performance of a spin based insulated gate field effect transistor" [cond-mat/0603260] [cond-mat/0603260]},
author = {S. Bandyopadhyay and M. Cahay},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0604532},
year = {2007}
}