自旋场效应晶体管的模拟：隧穿和自旋弛豫对其性能的影响
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1
摘要
在广泛使用的模拟器nanoMOS中实现了自旋场效应晶体管（spinFET）的自旋相关量子输运的数值模拟。该方法同时考虑了沟道中的自旋弛豫效应以及源/漏极与沟道之间的隧穿势垒效应。考虑这些因素可以设定更现实的晶体管性能极限，特别是磁电阻，发现其低于先前的预测。通过数值模拟阐明了隧穿与自旋弛豫之间的相互作用。插入隧穿势垒导致磁电阻增加。利用数值模拟探讨了隧穿势垒的设计问题。
引用
@article{arxiv.1002.5035,
title = {Simulation of the Spin Field Effect Transistors: Effects of Tunneling and Spin Relaxation on its Performance},
author = {Yunfei Gao and Tony Low and Mark S. Lundstrom and Dmitri E. Nikonov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.5035},
year = {2015}
}
备注
31 pages, 14 figures, submitted to Journal of Applied Physics