HFinFET：一种可扩展、高性能、低漏电的混合 N 沟道 FET
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1
摘要
在本文中，我们提出了一种名为 HFinFET 的新型晶体管的设计与仿真研究，该晶体管是 HEMT 与 FinFET 的混合体，旨在获得优异的性能和良好的关态控制。在描述设计之后，我们进行了 3D 器件仿真以预测该器件的特性。使用标准基准测试技术，将该器件与已发表的最先进的 HEMT 以及具有相当栅长的平面和非平面 Si NMOSFET 数据进行了基准对比。
引用
@article{arxiv.1003.5291,
title = {HFinFET: A Scalable, High Performance, Low Leakage Hybrid N-Channel FET},
author = {Kausik Majumdar and Prashant Majhi and Navakanta Bhat and Raj Jammy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.5291},
year = {2015}
}
备注
3 pages, 4 figures