超导量子比特的受控直流监测
介观与纳米尺度物理
2020-02-12 v2 超导电性
摘要
使用半导体-超导体混合材料制造 transmon 量子比特不仅提供对量子比特频率的静电控制，还允许通过将器件的半导体区域作为场效应晶体管（FET）工作来在原位对电路部分进行电学连接与断开。在此，我们利用这一特性在同一器件中比较量子比特的特性（如频率和弛豫时间）与相关的输运性质（如临界超电流和正常态电阻）。逐渐打开 FET 通向监测电路，可测量由弱到强的直流监测对活量子比特的影响。该影响的模型与实验高度吻合，证明了由栅极控制的环境耦合所介导的弛豫率。
引用
@article{arxiv.1910.08200,
title = {Controlled DC Monitoring of a Superconducting Qubit},
author = {A. Kringhøj and T. W. Larsen and B. van Heck and D. Sabonis and O. Erlandsson and I. Petkovic and D. I. Pikulin and P. Krogstrup and K. D. Petersson and C. M. Marcus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.08200},
year = {2020}
}