基于 GaMnAs 的垂直自旋金属-氧化物-半导体场效应晶体管结构的自旋相关输运性质
材料科学
2016-01-20 v1
摘要
我们制备了一种垂直自旋金属-氧化物-半导体场效应晶体管（自旋-MOSFET）结构，其由具有铁磁半导体 GaMnAs 源/漏的外延单晶异质结构组成，并研究了其自旋相关输运性质。我们利用 + 或 -10.8 V 的栅源电压将漏源电流 IDS 调制了约 + 或 -0.5%，并且在 3.5 K 下通过改变 GaMnAs 源/漏的磁化构型将 IDS 调制高达 60%。磁阻比高于先前关于自旋 MOSFET 研究所得结果两个数量级以上。我们的结果表明，当器件尺寸减小到亚微米或纳米尺度时，垂直结构是自旋 MOSFET 的有希望候选者之一。
引用
@article{arxiv.1510.07497,
title = {Spin-dependent transport properties of a GaMnAs-based vertical spin metal-oxide- semiconductor field-effect transistor structure},
author = {Toshiki Kanaki and Hirokatsu Asahara and Shinobu Ohya and Masaaki Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.07497},
year = {2016}
}
备注
14 pages, 4 figures