全半导体自旋晶体管类器件中栅极可调的巨大磁阻
材料科学
2018-02-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
二维电子系统(2DES)中巨大的自旋相关且电场可调的磁阻是实现许多基于自旋的电子器件新概念的关键要素。过去几十年间，在铁磁(FM)源(S)和漏(D)接触之间具有横向半导体(SC)输运沟道的器件中观察到的低磁阻，一直是实现自旋场效应晶体管方案的主要障碍。在此，我们展示了基于横向2DES的自旋阀结构中高达80%电阻变化的巨大两端磁阻，以及通过电栅极对磁阻的可调性。该巨大磁阻归因于FM/SC界面处的有限电场效应，该效应促进了自旋到电荷的转换。我们采用的栅控方案基于单向与双向自旋扩散之间的切换，而无需依赖自旋轨道耦合。
引用
@article{arxiv.1706.05239,
title = {Gate-tunable large magnetoresistance in an all-semiconductor spin-transistor-like device},
author = {Martin Oltscher and Franz Eberle and Thomas Kuczmik and Andreas Bayer and Dieter Schuh and Dominique Bougeard and Mariusz Ciorga and Dieter Weiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.05239},
year = {2018}
}
备注
Main text: 18 pages, 4 figures; supplementary material: 14 pages, 9 figures