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由于向非磁性半导体注入自旋而产生的大磁阻效应

介观与纳米尺度物理 2009-11-07 v1 强关联电子

作者: G. Schmidt , G. Richter , P. Grabs , C. Gould , D. Ferrand , L. W. Molenkamp

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摘要

presented 一种新的磁阻效应，源于从稀释磁性材料注入偏振自旋电子流到非磁性半导体。该效应结果是抑制了非磁性半导体中的一个自旋通道，理论上可产生高达 100% 的正磁阻，当非磁性半导体中的自旋翻转长度足够大时。实验上，我们的器件显示出最高可达 25% 的磁阻。

关键词

磁阻效应自旋注入非磁性半导体自旋翻转长度稀释磁性材料

引用

@article{arxiv.cond-mat/0108510,
  title  = {Large magnetoresistance effect due to spin-injection into a non-magnetic semiconductor},
  author = {G. Schmidt and G. Richter and P. Grabs and C. Gould and D. Ferrand and L. W. Molenkamp},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0108510},
  year   = {2009}
}

备注

3 figures, submitted for publication