纳米尺度隧道场效应晶体管(TFET)中工艺诱发变化的估计与补偿以提高可靠性
介观与纳米尺度物理
2010-10-19 v1
摘要
隧道场效应晶体管(TFET)具有极低的漏电流，表现出优异的亚阈值摆幅，并且不易受短沟道效应影响。然而，TFET确实面临某些特殊挑战，特别是在工艺诱发的变化方面：(i)沟道长度，以及(ii)硅薄膜和栅氧化层的厚度。本文首次研究了上述工艺变化对双栅隧道场效应晶体管(DGTFET)电特性的影响。通过二维器件模拟，我们提出采用高k栅介质的应变双栅隧道场效应晶体管(SDGTFET)作为可能的解决方案，以有效补偿开态电流、阈值电压和亚阈值摆幅中的工艺诱发变化，从而提高DGTFET的可靠性。
引用
@article{arxiv.1010.3476,
title = {Estimation and Compensation of Process Induced Variations in Nanoscale Tunnel Field Effect Transistors (TFETs) for Improved Reliability},
author = {Sneh Saurabh and M. Jagadesh Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.3476},
year = {2010}
}
备注
Journal Paper