垂直 TFET 的开关机制与可扩展性
材料科学
2018-08-01 v3 应用物理
摘要
本工作中，通过原子级量子输运模拟研究了基于二维过渡金属硫族化物（TMD）材料垂直堆叠异质结的垂直隧穿场效应晶体管（v-TFET）。发现 v-TFET 的开关机制不同于先前的预测。作为该开关机制的结果，材料未堆叠之上的扩展区被发现对关断 v-TFET 至关重要。这一扩展区使得 v-TFET 的缩放具有挑战性。此外，由于沟道内同时存在正负电荷，v-TFET 还表现出负电容。因此，v-TFET 具有优良的能量延迟积，是低功耗应用的有前途的候选者之一。
引用
@article{arxiv.1711.01832,
title = {Switching Mechanism and the Scalability of vertical-TFETs},
author = {Fan Chen and Hesameddin Ilatikhameneh and Yaohua Tan and Gerhard Klimeck and Rajib Rahman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.01832},
year = {2018}
}
备注
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