铁电场效应晶体管中陡峭亚阈值斜率的另一种解释
应用物理
2018-07-04 v1
摘要
多年来，铁电场效应晶体管中已报道了低于 60mV/十倍频的开关特性。然而，迄今为止这些报道缺乏完整的物理解释，因为它们通常利用铁电层中的负电容来解释实验观测。由于负电容本身并非物理概念，我们提出了一种替代模型，该模型依赖于铁电层的非线性和非平衡行为。研究表明，通过称为成核与传播的两步切换过程可获得陡峭的亚阈值斜率。利用也从断裂动力学中已知的畴壁运动概念，我们能够解释陡峭斜率效应。我们补充了一个简单的数学模型以进一步描述该现象，并进一步探究其在亚 10nm 时代获得陡峭斜率晶体管的潜在益处。
引用
@article{arxiv.1802.03590,
title = {Alternative explanation for the steep subthreshold slope in Ferroelectric FETs},
author = {Jan Van Houdt and Philippe Roussel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.03590},
year = {2018}
}