静止畴壁增强铁电敏感性的起源
材料科学
2017-03-15 v2
摘要
铁电体通常呈现多畴状态，其中畴壁分隔开极化轴取向不同的畴。人们早已认识到，畴壁可以显著影响铁电材料的性质。在亚开关条件下低场敏感性/电容率的增强通常被归因于可逆的畴壁振动。近期实验强调了静止畴壁对介电敏感性的贡献，这与畴壁的任何横向位移或形变无关。我们利用密度泛函理论和分子动力学模拟，研究了畴壁对 PbTiO 低场电容率的影响。计算了静态介电常数随畴壁密度增加和温度变化的函数。我们发现介电电容率随畴壁密度增加而增大，这预计发生在低驱动场下，此时畴壁的横向运动被禁止。介电响应的实空间分解揭示，畴壁有限宽度内的受阻偶极子是导致低场电容率增强的原因。
引用
@article{arxiv.1609.08989,
title = {Origin of Stationary Domain Wall Enhanced Ferroelectric Susceptibility},
author = {Shi Liu and R. E. Cohen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.08989},
year = {2017}
}