通过铁电畴壁工程实现介电常数的合成后调谐
材料科学
2024-10-29 v1
摘要
实现巨大介电常数的一个有前景的机制是使用绝缘内部阻挡层，这些层通常在合成过程中形成并保留在材料中。最近研究表明，铁电体中的绝缘畴壁可以充当这样的阻挡层。与固定界面相比，畴壁的一个优势是可以移动，从而提供了合成后控制介电常数的潜力。然而，迄今为止，尚未实现直接成像畴壁图案变化如何导致单个样品中介电常数变化。在这项工作中，我们证明改变畴壁密度可以调控六方ErMnO3单晶的介电常数。通过显微技术量化畴壁密度的变化，同时通过宏观介电谱测量确定介电常数。观察到的介电常数变化与畴壁密度的变化定量一致，表明绝缘畴壁表现为串联的“理想”电容器。我们的畴壁密度工程方法可以轻松扩展到其他控制方法，例如电场或机械应力，为原位调谐介电常数提供了一种新的灵活性。
引用
@article{arxiv.2401.10835,
title = {Post-synthesis tuning of dielectric constant via ferroelectric domain wall engineering},
author = {L. Zhou and L. Puntigam and P. Lunkenheimer and E. Bourret and Z. Yan and I. Kézsmárki and D. Meier and S. Krohns and J. Schultheiß and D. M. Evans},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.10835},
year = {2024}
}