通过光致电子屏蔽实现铁电畴壁的动态倾斜
材料科学
2022-10-17 v2
摘要
光学激发扰动了对铁电薄膜内畴壁倾斜取向起选择作用的现象平衡。低应变 BaTiO3 薄膜中由带隙以上超快光脉冲诱导的高载流子密度改变了 90{\deg} a/c 畴壁相对于衬底—薄膜界面所成的倾斜角。在畴漫散射的时间分辨同步辐射 X 射线散射研究中,可观察到该变化的动力学过程。倾斜发生在 298 K——此时 a/b 与 a/c 畴相共存,但在 343 K 有序性更好的单相 a/c 区中 absent。298 K 下的相共存导致畴壁电荷密度增加,因而比单相区具有更大的屏蔽效应。该屏蔽机制为操控纳米尺度铁电性指出了新方向。
引用
@article{arxiv.2008.06819,
title = {Dynamic Tilting of Ferroelectric Domain Walls via Optically Induced Electronic Screening},
author = {Youngjun Ahn and Arnoud S. Everhardt and Hyeon Jun Lee and Joonkyu Park and Anastasios Pateras and Silvia Damerio and Tao Zhou and Anthony D. DiChiara and Haidan Wen and Beatriz Noheda and Paul G. Evans},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.06819},
year = {2022}
}