BiFeO3薄膜中71°畴壁的导电性
材料科学
2013-05-29 v1
摘要
研究了主要包含71°畴壁的BiFeO3薄膜中畴和畴壁的局域导电性。室温测量揭示了通过71°畴壁的导电性。在足够高的温度下，也能观察到通过畴的导电性。研究发现，尽管畴的电导率较低，但两者受相同机制支配：在低电压范围内，被缺陷态俘获的电子被热激活，但电流受铁电表面电荷限制；在高电压范围内，发生肖特基发射，氧空位的作用是选择性地提高畴壁处的费米能级并局部降低肖特基势垒。这一理解为在氧化物中设计导电通路提供了关键。
引用
@article{arxiv.1104.3267,
title = {Conduction through 71o domain walls in BiFeO3 thin films},
author = {S. Farokhipoor and B. Noheda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.3267},
year = {2013}
}
备注
RevTeX, four two-column pages, 5 color figures