BiFeO$_3$中中性本征铁电畴壁对电子的俘获
材料科学
2018-10-03 v2
摘要
对BiFeO中本征中性铁电畴壁的第一性原理计算表明，多余电子被畴壁选择性俘获，而空穴仅被弱吸引。这种被俘获的多余电子可能是实验中观测到的畴壁处热激活电导率的起因。在周期性畴壁阵列的情况下，被俘获的多余电子产生锯齿势，其振幅取决于材料中的电子浓度与畴壁间距。该势对71{\deg}和109{\deg}畴壁是不对称的。这可能改变太阳能电池中的开路电压，从而影响BiFeO中的光电效应。
引用
@article{arxiv.1806.02911,
title = {Electron trapping by neutral pristine ferroelectric domain walls in BiFeO$_3$},
author = {Sabine Körbel and Jirka Hlinka and Stefano Sanvito},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.02911},
year = {2018}
}