勘误：BiFeO$_3$中铁电畴壁的光电压
材料科学
2025-03-07 v3
摘要
在原始文章中，方法学上的一个错误导致对临界激子密度以下激子离域化的不正确预测。这种非现实的离域激子态产生了可观的畴壁光电压。当正确执行时，模拟在所有考虑的激子密度下均产生自俘获（局域化）激子，没有任何向离域激子转变的证据。这种现实的自我俘获激子态仅产生可忽略的畴壁光电压。原始结论——若载流子寿命和扩散长度高于预期，铁电畴壁可能是测得光电压的原因——是不正确的。正确结论是：BiFeO3中的畴壁光电压过小，无法解释测得的光电压。原始分析对无载流子自俘获的铁电体有意义，对BiFeO3则不然。
引用
@article{arxiv.1905.10321,
title = {Erratum: Photovoltage from ferroelectric domain walls in BiFeO$_3$},
author = {Sabine Körbel and Stefano Sanvito},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.10321},
year = {2025}
}