3R-MoS$_{2}$ / MoSe$_{2}$异质结中层间激子的铁电调控
材料科学
2026-01-26 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们结合光致发光实验与密度泛函理论及多体格林函数计算，研究了hBN封装的3R-MoS/MoSe异质结中层间激子与铁电畴之间的相互作用。低温光致发光光谱显示，随着MoS层厚度的增加，层间激子能量发生显著红移，这归因于能带重整化和介电效应。我们观察到激子能量的局部变化与3R-MoS层的局部铁电畴极化相关，展示了不同的畴依赖层间激子跃迁能量。栅极电压实验表明，层间激子能量可以通过电致畴翻转进行调控。这些结果突显了通过局部铁电序调控层间激子的潜力，并为未来基于范德华异质结的铁电光电器件奠定了基础。
引用
@article{arxiv.2508.08911,
title = {Ferroelectric Control of Interlayer Excitons in 3R-MoS$_{2}$ / MoSe$_{2}$ Heterostructures},
author = {Johannes Schwandt-Krause and Mohammed El Amine Miloudi and Elena Blundo and Swarup Deb and Jan-Niklas Heidkamp and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Rico Schwartz and Andreas Stier and Jonathan J. Finley and Oliver Kühn and Tobias Korn},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.08911},
year = {2026}
}