BiFeO$_3$ 中铁弹畴壁作为忆阻网络
材料科学
2022-07-07 v1 应用物理
摘要
在 BiFeO（BFO）及其他名义上绝缘的铁电体中，已有沿单个畴壁（DW）电子传导的报道。这些材料中的畴壁分隔了具有不同取向电极化（畴）的区域，且仅几个原子宽，提供了自组装的纳米级传导路径。本工作表明，在 BFO 薄膜中，通过自生长致密畴壁网络也可实现从壁到壁的电子传输。利用导电原子力显微镜（cAFM）在网络的不同位置局部进行的电场循环，可选择性地在畴壁上诱导阻变，无论对于垂直（单壁）还是横向（壁到壁）传导均如此。这些发现是将畴壁作为用于信息处理和物质内计算（in-materio computing）的忆阻网络进行研究的初步步骤。
引用
@article{arxiv.2207.02688,
title = {Ferroelastic domain walls in BiFeO$_3$ as memristive networks},
author = {Jan Rieck and Davide Cipollini and Mart Salverda and Cynthia P. Quinteros and Lambert R. B. Schomaker and Beatriz Noheda},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.02688},
year = {2022}
}