非氧化物导电畴壁的磁雪崩
材料科学
2021-06-29 v1 强关联电子
摘要
铁电体中的原子级锐利畴壁(DWs)被视为实现易于重构的纳米电子基元的理想平台，可通过外场创建、操控和擦除。然而，导电畴壁仅在氧化物中被观测到，其中畴壁迁移率与电导率在很大程度上受化学计量与缺陷影响。相反，我们在此报道非氧化物铁电体GaVS中的导电畴壁，其中载流子由多价V分子团簇本征地提供。我们表明这一新机制产生了由具有交替电子与空穴传导的纳米条带组成的畴壁，在氧化物中不可想象。通过对这些区段施加磁控制，我们将可移动且有效的二维畴壁提升为支配三维电导，触发高达八个数量级的 abrupt 电导变化。柔性价态作为这些具有巨电导率的新型混合畴壁的起源，表明非氧化物铁电体可成为氧化物电子学领域之外新现象的来源。
引用
@article{arxiv.2105.09659,
title = {Magnetic avalanche of non-oxide conductive domain walls},
author = {Somnath Ghara and Korbinian Geirhos and Lukas Kuerten and Peter Lunkenheimer and Vladimir Tsurkan and Manfred Fiebig and István Kézsmárki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.09659},
year = {2021}
}
备注
8 pages, 4 figures