Mott 绝缘体中应变驱动的导电畴壁
材料科学
2022-04-28 v1 强关联电子
摘要
可重写纳米电子学为基础研究和技术应用提供了新的视角和潜力。这种兴趣将研究焦点转向了导电畴壁：可以原位创建、定位和删除的伪二维导电通道。然而，导电畴壁的研究主要局限于宽带隙铁电体，其中导电性通常源于由于极性不连续处的屏蔽电荷积累而导致的载流子密度变化。这项工作表明，在具有强电荷晶格耦合的窄带隙关联绝缘体中，局部应变梯度可以驱动畴壁处的增强导电性，从而消除了极性不连续性作为导电性的标准。通过结合不同的扫描探针显微镜技术，我们证明了 GaV4S8 中的畴壁导电性并不遵循已建立的屏蔽电荷模型，而是源于 Jahn-Teller 相变过程中的大表面重构以及跨畴壁的相关应变梯度。如果主体材料的电子结构对局部应变梯度敏感，这种机制可以使任何结构甚至磁性畴壁导电，从而极大地扩展了可能适用于基于畴壁的纳米电子学的材料和现象范围。
引用
@article{arxiv.2204.13076,
title = {Strain driven conducting domain walls in a Mott insulator},
author = {L. Puntigam and M. Altthaler and S. Ghara and L. Prodan and V. Tsurkan and S. Krohns and I. Kézsmárki and D. M. Evans},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.13076},
year = {2022}
}