软磁纳米带中的第三类畴壁

纳米结构中的磁畴壁（DWs）是分隔均匀磁化区域的低维客体。由于它们可以具有不同的形状和宽度，DWs 成为基础研究的激动人心的试验场，并在过去几年中成为密集工作的主题，主要集中在控制、操纵和移动其内部磁构型上。在具有面内磁化的纳米带中，已确认存在两种 DWs：在薄且窄的带中，横向畴壁在能量上是有利的；而在较厚且较宽的带中，涡旋畴壁具有较低的能量。相关的相图现已确立，并常用于预测给定磁性纳米结构中的低能磁构型。然而，除了横向畴壁和涡旋畴壁外，我们在数值上发现坡莫合金纳米带中还存在另一种类型的畴壁。这第三类 DW 的特征在于具有不寻常长度和三个内部自由度的三维闭合磁通微磁结构。对光刻图案化坡莫合金纳米带的磁成像证实了这些预测，并表明这些 DWs 可以在约 1mT 的外加磁场下移动。我们提供了一个扩展的相图，描述了坡莫合金纳米带中所有已知类型 DWs 的稳定区域。