横向磁场诱导的磁畴壁速度增强

我们通过高速磁光偏振测量和数值模拟，研究了坡莫合金纳米线引导下场驱动畴壁（DW）的自旋动力学。畴壁速度和自旋构型被确定为纵向驱动场、横向偏置场和纳米线宽度的函数。横截面尺寸大到足以支撑涡旋壁结构的纳米线，表现出具有增强畴壁速度的驱动场强度区域（在零偏置场下），这种增强源于抑制振荡运动的耦合涡旋结构。当施加横向偏置场时，在临界纵向驱动场（标志着振荡畴壁运动的开始）之上观察到了十倍的畴壁速度增强。支撑横向壁结构的较小横截面尺寸纳米线在临界场之上也表现出高迁移率区域，以及类似的横向场诱导速度增强，但增强因子较小。偏置场对畴壁速度的增强可通过传播畴壁内自旋分布和动力学的数值模拟来解释，模拟揭示了纳米线通道中耦合涡旋结构的动态稳定化以及对振荡运动的抑制，从而导致高速下的均匀畴壁运动。