自旋阀纳米条中低电流密度诱导的零磁场高畴壁速度
材料科学
2009-01-30 v2
摘要
利用光电子发射显微镜，在基于自旋阀的纳米条坡莫合金层中观察到了零磁场下电流诱导的磁畴壁运动。畴壁运动受到钉扎点的阻碍，但在钉扎点之间，对于远低于的电流密度，获得了高畴壁速度（超过150 m/s），这表明在钉扎位置得到良好控制的情况下，这些三层系统有望应用于畴壁器件。这些结构中的垂直自旋电流为低电流密度下畴壁速度的增加提供了一种可能的解释。
引用
@article{arxiv.0810.3576,
title = {High domain wall velocity at zero magnetic field induced by low current densities in spin-valve nanostripes},
author = {Stefania Pizzini and Vojtech Uhlir and Jan Vogel and Nicolas Rougemaille and Sana Laribi and Vincent Cros and Erika Jimenez and Julio Camarero and Carsten Tieg and Edgar Bonet and Marlio Bonfim and Richard Mattana and Cyrile Deranlot and Frédric Petroff and Christian Ulysse and Giancarlo Faini and Albert Fert},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.3576},
year = {2009}
}
备注
Published version, Applied Physics Express 2, 023003 (2009) http://dx.doi.org/10.1143/APEX.2.023003