低电流控制下具有高速畴壁运动的CoB/Ni基多层纳米线
材料科学
2012-08-29 v3 仪器与探测器
摘要
通过磁输运测量间接观察到在低电流密度(1.12±0.8)×10^{11} A m^{-2}驱动下CoB/Ni基纳米线中磁畴壁的自旋转移矩运动。在阈值电流密度下，零场时测得了85±4 m/s的高畴壁速度。当电流密度增加到2.6×10^{11} A m^{-2}时，畴壁速度增加到197±16 m/s，随后在高电流密度区域迅速下降，这归因于低阻尼因子和弱钉扎下的非绝热自旋转移矩。在Co层中添加B原子降低了饱和磁化强度、Gilbert阻尼因子和钉扎位密度，使得CoB/Ni多层纳米线有利于实际应用。
引用
@article{arxiv.1110.5112,
title = {CoB/Ni-Based Multilayer Nanowire with High-Speed Domain Wall Motion under Low Current Control},
author = {Duc-The Ngo and Norihito Watanabe and Hiroyuki Awano},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.5112},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 5 figures; PACS: 72.25.Ba, 75.60.Ch, 75.70.Cn, 75.75.Cd, 75.76.+j, 75.78.Fg