垂直磁化 CoFe/Pd 多层纳米线中的畴壁运动

利用结构为 Ta(5 nm)/Pd(5 nm)/[CoFe(0.4 nm)/Pd(1.2 nm)]$_{15}$/Ta(5 nm) 的多层薄膜，通过反常霍尔效应测量，研究了 600-nm 宽纳米线中电流诱导的畴壁 (DW) 运动。研究发现，低至 1.44$\times$10$^{11}$ A.m$^{-2}$ 的电流密度即可驱动畴壁运动。定量分离了被视为畴壁运动有效场的 Oersted 场 ($H_{Oe}$) 和自旋转移力矩场 ($H_{ST}$) 对脱钉场随电流依赖关系的影响。结果表明，畴壁运动主要由非绝热性主导，其非绝热因子 $\beta$ 高达 0.4。