合成反铁磁纳米线中低电流密度下的畴壁运动
介观与纳米尺度物理
2023-08-02 v1
摘要
电流驱动的磁畴壁（DW）运动是磁赛道存储器的原理。在这类自旋电子学技术中，高电流密度被用于推动磁纳米线中的畴壁运动，导致显著的导线发热。已知合成反铁磁体在高电流密度下表现出极快的畴壁运动，但接近运动阈值的较低电流密度则较少受到关注。本文利用扫描透射 X 射线显微镜研究合成反铁磁（SAF）多层膜中畴壁对电流的响应。我们观察到畴壁在 ~A/m 下脱钉，并且对 5~ns 持续时间电流脉冲的响应运动比可比的常规多层膜更快。结果表明，对于低能耗赛道技术，SAF 结构中的畴壁优于常规的 Néel 畴壁。
引用
@article{arxiv.2205.03126,
title = {Domain wall motion at low current density in a synthetic antiferromagnet nanowire},
author = {Christopher Barker and Simone Finizio and Eloi Haltz and Sina Mayr and Philippa Shepley and Thomas Moore and Gavin Burnell and Jörg Raabe and Christopher Marrows},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.03126},
year = {2023}
}