反铁磁纳米线中电压诱导的惯性畴壁运动
应用物理
2020-06-24 v1
摘要
基于磁畴壁（DW）运动的赛道存储器具有体积小和读取速度快的优势。与电流诱导的 DW 运动相比，电压诱导的 DW 运动耗散更低。另一方面，反铁磁体（AFM）中的 DW 以高速度运动且杂散场弱。本工作中，理论上研究了电压脉冲下由磁各向异性能梯度诱导的 AFM DW 运动。推导了 DW 运动的动力学方程。解表明 DW 速度高于 100 m/s，并且由于惯性，在脉冲期间关闭电压后，DW 能够以约 100 m/s 的速度继续运动数纳秒。基于拉格朗日方法解释了该 DW 惯性的机制。另一方面，DW 运动时发射出自旋波，但 DW 仍能以不断增大的速度随 DW 宽度增大而运动。这表明自旋波发射的能量损失小于来自各向异性能梯度有效场的能量增益。
引用
@article{arxiv.2003.03784,
title = {Voltage-Induced Inertial Domain Wall Motion in an Antiferromagnetic Nanowire},
author = {Fa Chen and Zhendong Zhang and Wei Luo and Xiaofei Yang and Long You and Yue Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.03784},
year = {2020}
}