合成反铁磁体中电压诱导的高速畴壁运动
应用物理
2020-01-08 v1 计算物理
摘要
磁畴壁（DW）的电压诱导运动在开发具有超低功耗的新型器件方面具有潜力。然而，单层铁磁体中电压诱导畴壁运动（VIDWM）的速度通常很低。在本工作中，我们提出了合成反铁磁体（SAF）中的高速 VIDWM。SAF 中耦合畴壁的速度显著高于单层铁磁体中的对应速度。强的层间反铁磁交换耦合对高畴壁速度起着关键作用，因为它抑制了在强 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用下畴壁平面的倾斜。另一方面，由于强层间反铁磁耦合下磁矩取向的稳定化，畴壁运动的 Walker 击穿也被抑制。理论上，证明电压诱导的磁各向异性梯度等价于驱动畴壁的有效磁场。
引用
@article{arxiv.1906.04988,
title = {Voltage-induced high-speed DW motion in a synthetic antiferromagnet},
author = {Lulu Chen and Maokang Shen and Yingying Peng and Xinyu Liu and Wei Luo and Xiaofei Yang and Yue Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.04988},
year = {2020}
}
备注
9 pages, 5 figures