拓扑保护带电铁电畴壁的导电性
强关联电子
2012-02-16 v1
摘要
我们报道了在六方HoMnO3中，利用原位导电原子力显微镜、压电力显微镜和开尔文探针力显微镜在低温下观察到由多铁性涡旋拓扑保护的铁电畴壁处的纳米尺度导电性。除了先前在低偏压下观察到的肖特基型整流效应[Phys. Rev. Lett., 104, 217601 (2010)]，电导谱揭示，带负电的尾对尾畴壁在高正向偏压下表现出增强的导电性，而带正电的头对头畴壁在高反向偏压下表现出抑制的导电性。我们的结果为理解窄带隙铁电体中畴和畴壁的半导体性质铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1112.6193,
title = {Conduction of topologically-protected charged ferroelectric domain walls},
author = {Weida Wu and Y. Horibe and N. Lee and S. -W. Cheong and J. R. Guest},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.6193},
year = {2012}
}
备注
8 pages, 4 figures