外延EuTiO3薄膜的导电机制
材料科学
2015-06-11 v1 强关联电子
摘要
为了研究漏电流密度与电场的关系，通过脉冲激光沉积在(001) SrTiO3衬底上沉积了外延EuTiO3薄膜，并在还原气氛中进行后退火。研究发现，导电机制与温度和电压极性密切相关。确定在50至150 K范围内，负偏压和正偏压下的主导导电机制均为空间电荷限制电流。在200至300 K范围内，负偏压和正偏压下的导电机制分别表现为肖特基发射和Fowler-Nordheim隧穿行为。这项工作表明，Eu3+是EuTiO3薄膜中漏电流的一个来源。
引用
@article{arxiv.1208.5577,
title = {Conduction mechanisms of epitaxial EuTiO3 thin films},
author = {R. Zhao and W. W. Li and L. Chen and Q. Q. Meng and J. Yang and H. Wang and Y. Q. Wang and R. J. Tang and H. Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.5577},
year = {2015}
}
备注
17 pages,4 figures, conference