短沟道 FinFET 中铁电性诱导增强静电控制的分析建模
应用物理
2021-04-08 v4
摘要
本研究使用 TCAD 模拟了沟道长度从 25nm 到 100nm 的负电容双栅 FinFET。结果表明，负电容显著降低了亚阈值摆幅以及漏致势垒降低效应。研究发现，这种改善在短沟道器件中比长沟道器件更为显著，这证明了负电容栅堆叠对于按比例缩放 MOSFET 的巨大优势。本文开发了一种紧凑的解析公式，用于量化短沟道器件的亚阈值摆幅改善。
引用
@article{arxiv.2007.13168,
title = {Analytical Modelling of Ferroelectricity Instigated Enhanced Electrostatic Control in Short-Channel FinFETs},
author = {Jhang-Yan Ciou and Sourav De and Chien-Wei-Wang and Wallace Lin and Yao-Jen Lee and Darsen Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.13168},
year = {2021}
}