铁电场效应晶体管中负电容的瞬态特性
介观与纳米尺度物理
2017-08-07 v1
摘要
铁电体中的负电容（NC）源于极化不完全屏蔽，被认为是降低逻辑开关中场效应晶体管（FET）工作电压的可行方法。本文中，我们讨论了负电容的瞬态特性对其实际应用的影响。建议需要在适当的时间尺度上表征NC效应，以确定能有效使用功能性NC-FET的电路类型。
引用
@article{arxiv.1708.01382,
title = {Transient Nature of Negative Capacitance in Ferroelectric Field-Effect Transistors},
author = {Kwok Ng and Steven J. Hillenius and Alexei Gruverman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.01382},
year = {2017}
}
备注
4 manuscript pages. 3 journal pages. 4 figures