负电容场效应晶体管的热力学视角
应用物理
2018-04-20 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
铁电场效应晶体管（FeFET）运行背后的物理现象在统一的仿真框架内进行了处理。该框架结合了铁电体自由能的 Landau 平均场处理和基于 Landau-Khalatnikov (LK) 方程的极化动力学。这些方程与一维金属-氧化物-半导体（MOS）结构的静电学以及半导体沟道内电流的漂移-扩散解进行了自洽求解。数值模拟表明，根据铁电（FE）层的厚度，可通过负电容效应实现两类工作模式：一类是磁滞切换模式（适用于非易失性存储器），另一类是具有更高导通电流和更陡亚阈值斜率（SS）且磁滞可忽略的模式（适用于逻辑器件）。
引用
@article{arxiv.1706.05464,
title = {A Thermodynamic Perspective of Negative-capacitance Field-effect-transistors},
author = {Sou-Chi Chang and Uygar E. Avci and Dmitri. E. Nikonov and Ian A. Young},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.05464},
year = {2018}
}
备注
8 pages, 14 figures