铁电场效应晶体管中的存储窗口：解析方法
应用物理
2022-11-04 v1
摘要
铁电场效应晶体管(FeFETs)的存储窗口定义为高态与低态阈值电压之差，是衡量FeFET存储特性的重要指标。本研究从理论层面探究FeFET存储窗口与铁电栅绝缘体P-E滞回曲线之间的关系，推导出一个由材料参数显式描述的紧凑模型。研究发现，在小极化区间存储窗口与铁电极化呈线性正比，而当剩余极化远大于介电常数×矫顽场时，其收敛于极限值2×矫顽场×厚度。我们讨论了实际器件中可能影响存储窗口的其他因素，如中间层（无直接影响）、界面电荷（铁电与电荷俘获滞回间线性叠加失效）以及小回线操作（行为等效于产生界面电荷）。
引用
@article{arxiv.2211.01584,
title = {Memory Window in Ferroelectric Field-Effect Transistors: Analytical Approach},
author = {Kasidit Toprasertpong and Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2211.01584},
year = {2022}
}