铁电单电子晶体管中的记忆效应：栅极电压下电导周期性的破坏
介观与纳米尺度物理
2014-11-11 v2 强关联电子
摘要
岛上具有准连续准粒子谱的大多数单电子器件的基本特性是其输运特性在栅极电压下的周期性。即使在源极和漏极隧道结中放置铁电绝缘体，这一特性依然稳健。我们表明，在栅极电容内部放置铁电体会破坏这种周期性。该单电子晶体管（SET）的电流 - 电压特性强烈依赖于铁电极化，并且即使在铁电滞后可忽略不计的情况下也显示出巨大的记忆效应，使得该器件在存储应用中极具前景。
引用
@article{arxiv.1408.6478,
title = {Memory effect in ferroelectric single electron transistor: violation of conductance periodicity in the gate voltage},
author = {S. A. Fedorov and A. E. Korolkov and N. M. Chtchelkatchev and O. G. Udalov and I. S. Beloborodov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.6478},
year = {2014}
}