具有高 κ 界面层且写入耐久度超过 10^10 次循环的铁电 HfO2 存储晶体管
应用物理
2021-03-17 v1
摘要
我们展示了基于晶体硅沟道、耐久度超过 次循环的铁电（FE）存储晶体管。该铁电晶体管（FeFETs）在 30 nm SOI 沟道上集成了热生长氮化硅（SiN）的高 界面层（IL）和 4.5 nm 厚的 Zr 掺杂 FE-HfO 薄层。该器件在仅 2.5V 的直流扫描中显示出 1V 的存储窗口，并可在 250 ns 脉宽下以 3V 的电压脉冲进行编程和擦除。该器件还表现出非常好的保持特性。这些结果表明，对 IL 层进行适当的工艺设计可显著提升 FeFET 器件的性能与可靠性。
引用
@article{arxiv.2103.08806,
title = {Ferroelectric HfO$_2$ Memory Transistors with High-$\kappa$ Interfacial Layer and Write Endurance Exceeding $10^{10}$ Cycles},
author = {Ava Jiang Tan and Yu-Hung Liao and Li-Chen Wang and Jong-Ho Bae and Chenming Hu and Sayeef Salahuddin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.08806},
year = {2021}
}