基于 CuInP2S6 与 InZnO 的低热预算铁电场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2023-07-21 v1
摘要
本文展示了基于二维铁电体 CuInP2S6（CIPS）与氧化物半导体 InZnO（IZO）的低热预算铁电场效应晶体管（FeFET）。CIPS/IZO FeFET 表现出约 1 V 的非易失存储窗口、低关态漏电流与高载流子迁移率。铁电 CIPS 层具有双重作用：为 IZO 提供静电掺杂并作为 IZO 沟道的钝化层。我们还研究了 CIPS/IZO FeFET 作为神经网络人工突触器件。CIPS/IZO 突触展现出可观的动态比（125）并维持稳定的多级状态。基于 CIPS/IZO FeFET 的神经网络在识别 MNIST 手写数字上达到超过 80% 的准确率。这些铁电晶体管可在低热预算下垂直堆叠于硅 CMOS 之上，在 CMOS+X 技术与高能效 3D 神经网络中具有广泛应用。
引用
@article{arxiv.2307.10473,
title = {Low-Thermal-Budget Ferroelectric Field-Effect Transistors Based on CuInP2S6 and InZnO},
author = {Hojoon Ryu and Junzhe Kang and Minseong Park and Byungjoon Bae and Zijing Zhao and Shaloo Rakheja and Kyusang Lee and Wenjuan Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.10473},
year = {2023}
}