面向低功耗的拓扑晶体管设计：1T'-MoS2 与 HZO 在露点应用中的实现
介观与纳米尺度物理
2026-03-17 v1 应用物理
摘要
大规模量子计算需要用于控制/读出电路和路由电路的低功耗 cryogenic 电子控制器。然而，当前技术面临高功耗问题，阻碍了大规模量子比特集成。本文理论上提出了极低功耗的 cryogenic 拓扑晶体管，即负电容拓扑绝缘体场效应晶体管 (NC-TIFET)。通过将由栅极场诱导的二维 1T'-磷化硼 (MoS) 拓扑通道与钆硅氧化物 (HZO) 铁电栅绝缘体结合，NC-TIFET 表现出极陡的_TRANSFER 曲线和在低漏极电压 () 下的超高场效电导。因此，NC-TIFET 是大规模量子计算系统必不可少的 cryogenic 电子界面功耗最小的优选方案。
引用
@article{arxiv.2603.07902,
title = {Designing Extremely Low-Power Topological Transistors with 1T'-MoS2 and HZO for Cryogenic Applications},
author = {Yosep Park and Yungyeong Park and Hyeonseok Choi and Subeen Lim and Yeonghun Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.07902},
year = {2026}
}