Selective area grown InAs nanowire field-effect transistors and amplifiers cryogenic performance
介观与纳米尺度物理
2025-11-04 v2 材料科学
摘要
镉�砷(InAs)纳米线场效应晶体管(NWFET)是面向低功耗高速 cryogenic 纳米电子器件的热门平台，相关技术适用于量子信息处理。我们采用选择性区域生长(SAG)实现纳米线器件，具备与标准半导体工艺兼容的可扩展平面器件几何结构。制备了 NWFET 并表征了其低温特性，包括 ION/IOFF 比、阈值电压、亚阈坡度、界面陷阱密度、滞后现象及迁移率。NWFET 在依赖饱和模式运行的集成电路中可有效工作。在滞后现象下，亚阈放大器应用中发现带宽超过 cryostat 线路，但栅极滞后为精确调谐放大器工作点带来挑战。我们讨论晶体缺陷和制造工艺对器件特性的作用，并提出进一步改进的策略。
引用
@article{arxiv.2509.02078,
title = {Cryogenic performance of field-effect transistors and amplifiers based on selective area grown InAs nanowires},
author = {Giulia Meucci and Dags Olšteins and Damon J. Carrad and Gunjan Nagda and Daria V. Beznasyuk and Christian E. N. Petersen and Sara Martí-Sánchez and Jordi Arbiol and Thomas Sand Jespersen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.02078},
year = {2025}
}