选择性区域生长 InAs 纳米线器件的统计可重复性
应用物理
2024-05-24 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
诸如选择性区域生长等新方法，通过光刻控制晶体生长，允许将自下而上生长的半导体纳米材料集成到大规模经典和量子纳米电子学中。这要求评估和优化单个组件之间的可重复性。我们量化了名义上相同的选择性区域生长 InAs 纳米线大型阵列内的结构和电子统计可重复性。通过全面的原子力显微镜研究和透射电子显微镜获取结构参数的分布。将这些与使用低温多路复用器电路寻址的 256 个单独 SAG 纳米线场效应晶体管的低温电学特性的统计分布进行比较。关联连续热循环之间的测量，可以区分表面杂质散射和固定结构特性对器件可重复性的贡献。结果证实了 SAG 纳米材料的潜力，而量化统计指标的方法对于进一步优化可重复性至关重要。
引用
@article{arxiv.2401.05084,
title = {Statistical Reproducibility of Selective Area Grown InAs Nanowire Devices},
author = {Dāgs Olšteins and Gunjan Nagda and Damon J. Carrad and Daria V. Beznasyuk and Christian E. N. Petersen and Sara Martí-Sánchez and Jordi Arbiol and Thomas Sand Jespersen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.05084},
year = {2024}
}